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“钼”成300层+NAND必选项机构：沉积设备迎10亿美元增量市场_我的网站

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A | Kenny 报道 4月22日，医生工会组织投票拒绝了新西兰卫生部提出的薪酬协议，超过2500名医生将在5月初举行罢工。　　当地时间8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项。　　SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。新西兰住院医生协会（NZRDA）发布声明称，因为与卫生部的谈判陷入僵局，将于5月7日早晨7点至5月8日早晨8点之间“全面停工”。停工时间合计为25小时。 Advertise with us NZRDA全国秘书Deborah Powell博士表示，卫生部提出了“难以接受的薪酬方案，包括在2025年对近600名注册工会成员（包括300名全科医生实习生）减薪或冻薪”。

B | NZRDA称卫生部提出的方案内容还包括“减薪最高达12%”、“对全科实习生减薪”、“降低涨薪上限”等等。

C | Powell博士说：“残酷而讽刺的是，卫生部还向我们提出了一份薪酬报价，它意味着某些住院医生的报酬会大幅上涨15%-20%，甚至达到25%。

D | 三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。然而由于我们采取集合协议薪酬模式，该报价对我们成员的影响既不平等也不公平。” 她说工会成员决定团结一致，不接受任何削减住院医生收入的薪酬协议，尤其是在住院医生职位空缺多达500个、工会正在努力补缺的时候。其估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。工会希望向卫生部传达一个简单信息：“每位住院医生都很重要”，“一些医生的工资上涨不能通过其他医生的减薪来达成”。 NZRDA抗议的另一个点是卫生部没有兑现关于重新排班的承诺。NZRDA说成员被安排连续长时间工作，有时甚至需要值班15个小时。　　更进一步的，该机构提出，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场。　　该机构称，每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。 NZRDA表示，本周将由成员投票决定实否会有更多罢工行动。卫生部尚未对此发表意见。SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。

E | 　　受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI（ASM国际）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。　　钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。相关阅读：工资跟不上通胀、人手短缺…近5000名资深医生和牙医将罢工接受最新涨薪提议后新西兰护士和教师的工资水平拼得过澳洲吗？ “今天是值得庆祝的日子” 中学教师接受政府的14.5%涨薪提议护士们接受最新涨薪方案本周三不罢工了！年薪2倍！免费住房！澳洲抢走新西兰护士后，又要抢他们…… 一图告诉你，澳洲工资水平比新西兰高多少澳新收入差多少？新西兰护士“威胁”政府：不加薪就去澳洲医护人员短缺危机：政府决定姗姗来迟，招聘专家呼吁提高薪资水平注：本文为编译/原创，欢迎转发分享；但严禁复制等未经授权的非法使用。　　300层NAND主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制。违反上述声明者，本网将追究其相关法律责任。　　375层乃至400层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善RC性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而延续高层数NAND的成本下降曲线。使用授权请联系[email protected]。　　中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立。 chineseherald.co.nz All Rights Reserved 版权所有 (责编：鸮鹦鹉) 相关内容为保安全 Woolworths为超市员工佩戴随身摄像头奥克兰珠宝店九天被打劫两次，警方怀疑连环大盗严惩重刑犯，新西兰政府恢复这项争议法律！大动荡！新西兰政府猛下狠手，首都要撑不住了？！大雨警报！周末北岛雨一直下，奥克兰要下17个小时…… 绵羊国的羊开始杀人了！奥克兰西区二死一伤…… 北岸中餐馆斧头砍人者姓名公布，律师请求放他回中国 62岁大爷向新西兰儿童兜售电子烟，庭审到一半逃回中国！。

F | 　　然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。　　基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨CVD产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。　　爱建证券表示，钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”路径传导，工艺难点由沉积向后处理环节延伸。其中——　　沉积：成熟的WF钨工艺，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级；　　输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统WF气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统，以保障前驱体稳定输送；　　CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发CMP研磨液和研磨垫，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求；　　清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入；　　刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数持续提升下，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求；　　量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。　　该机构称，NAND工艺迭代核心从单纯堆叠层数转向材料—设备—工艺协同创新，新材料导入将持续催生沉积、刻蚀、清洗等关键设备迭代升级，Mo字线导入将推动沉积、刻蚀、清洗等关键环节工艺升级，相关设备及零部件厂商有望受益。（文章来源：科创板日报）。